casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAT82S-TR
Número da peça de fabricante | BAT82S-TR |
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Número da peça futura | FT-BAT82S-TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAT82S-TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 30mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT82S-TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAT82S-TR-FT |
BYM07-100HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel