casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAT6207L4E6327XT
Número da peça de fabricante | BAT6207L4E6327XT |
---|---|
Número da peça futura | FT-BAT6207L4E6327XT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAT6207L4E6327XT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Independent |
Tensão - pico reverso (máximo) | 40V |
Corrente - Max | 20mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | 4-XFDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSLP-4-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT6207L4E6327XT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAT6207L4E6327XT-FT |
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
EP4SGX530NF45C3N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M35E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel