casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAT1505WE6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BAT1505WE6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAT1505WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAT1505WE6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 1 Pair Common Cathode |
Tensão - pico reverso (máximo) | 4V |
Corrente - Max | 110mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT323-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT1505WE6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAT1505WE6327HTSA1-FT |
HSMS-2702-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2800-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2800-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2800-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2800-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2802-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2802-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2802-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2803-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2803-TR1G
Broadcom Limited
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel