casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS82-GS08
Número da peça de fabricante | BAS82-GS08 |
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Número da peça futura | FT-BAS82-GS08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAS82-GS08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 30mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200nA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS82-GS08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS82-GS08-FT |
30EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel