casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS581-02V-V-G-08
Número da peça de fabricante | BAS581-02V-V-G-08 |
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Número da peça futura | FT-BAS581-02V-V-G-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS581-02V-V-G-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 1mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-523 |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS581-02V-V-G-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS581-02V-V-G-08-FT |
VS-40EPS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel