casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAS40-06-HE3-18
Número da peça de fabricante | BAS40-06-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BAS40-06-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS40-06-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 5ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 30V |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS40-06-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS40-06-HE3-18-FT |
VS-MBRB2545CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTLTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB4045CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel