casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAS35,215
Número da peça de fabricante | BAS35,215 |
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Número da peça futura | FT-BAS35,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS35,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 250mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 90V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS35,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS35,215-FT |
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.
BAS16VY,115
Nexperia USA Inc.
BAV756S,115
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,165
Nexperia USA Inc.
BAS70XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT54XYH
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07S,115
Nexperia USA Inc.
BAS40XY,115
Nexperia USA Inc.
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation