casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS316/DG/B3,135
Número da peça de fabricante | BAS316/DG/B3,135 |
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Número da peça futura | FT-BAS316/DG/B3,135 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS316/DG/B3,135 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 250mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacitância @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316/DG/B3,135 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS316/DG/B3,135-FT |
301U140G R BL
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR100G BK G
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR140G BK BL
Vishay Semiconductor Opto Division
38DN68S02ELEMXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMEVMITPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5818SMG/TR13
Microsemi Corporation
EPF10K50STC144-1
Intel
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-Z2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10-2EQI
Microchip Technology
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel