casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS316/DG/B3,115
Número da peça de fabricante | BAS316/DG/B3,115 |
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Número da peça futura | FT-BAS316/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS316/DG/B3,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 250mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacitância @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316/DG/B3,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS316/DG/B3,115-FT |
301U100G R G
Vishay Semiconductor Opto Division
301U140G R BL
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR100G BK G
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR140G BK BL
Vishay Semiconductor Opto Division
38DN68S02ELEMXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMEVMITPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel