Número da peça de fabricante | BAS29 |
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Número da peça futura | FT-BAS29 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS29 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 90V |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS29 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS29-FT |
GP2D003A060C
Global Power Technologies Group
GP2D003A065C
Global Power Technologies Group
GP2D006A060C
Global Power Technologies Group
GP2D008A120C
Global Power Technologies Group
GP2D012A065C
Global Power Technologies Group
DK208DRP
Littelfuse Inc.
RHRD660S9A-F085
ON Semiconductor
C2D05120E
Cree/Wolfspeed
CDBD6100-G
Comchip Technology
CDBD620-G
Comchip Technology
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel