casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS285-GS08
Número da peça de fabricante | BAS285-GS08 |
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Número da peça futura | FT-BAS285-GS08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAS285-GS08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 2.3µA @ 25V |
Capacitância @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-80 Variant |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura de funcionamento - junção | 125°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS285-GS08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS285-GS08-FT |
VS-30EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel