casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAS21-E3-08
Número da peça de fabricante | BAS21-E3-08 |
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Número da peça futura | FT-BAS21-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS21-E3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21-E3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS21-E3-08-FT |
VS-SD803C12S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD803C14S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD803C16S15C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C12S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C12S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C20S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD823C25S30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel