Número da peça de fabricante | BAS19 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BAS19 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS19 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS19 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS19-FT |
MBRD5100HL-TP
Micro Commercial Co
GP2D003A060C
Global Power Technologies Group
GP2D003A065C
Global Power Technologies Group
GP2D006A060C
Global Power Technologies Group
GP2D008A120C
Global Power Technologies Group
GP2D012A065C
Global Power Technologies Group
DK208DRP
Littelfuse Inc.
RHRD660S9A-F085
ON Semiconductor
C2D05120E
Cree/Wolfspeed
CDBD6100-G
Comchip Technology
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel