casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BAQ35-GS18
Número da peça de fabricante | BAQ35-GS18 |
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Número da peça futura | FT-BAQ35-GS18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAQ35-GS18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1nA @ 60V |
Capacitância @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAQ35-GS18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAQ35-GS18-FT |
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel