casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BA783S-G3-08
Número da peça de fabricante | BA783S-G3-08 |
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Número da peça futura | FT-BA783S-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BA783S-G3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 35V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783S-G3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BA783S-G3-08-FT |
HSMS-2860-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2862-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2863-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2863-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2864-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2864-TR1G
Broadcom Limited
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel