casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BA783-HE3-18
Número da peça de fabricante | BA783-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BA783-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BA783-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 35V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 3V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 1.2 Ohm @ 3mA, 1GHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA783-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BA783-HE3-18-FT |
HSMS-2820-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2820-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2822-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2822-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2823-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2823-TR1G
Broadcom Limited
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel