casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BA782S-G3-18
Número da peça de fabricante | BA782S-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-BA782S-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BA782S-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 35V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 1.25pF @ 3V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 700 mOhm @ 3mA, 1GHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA782S-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BA782S-G3-18-FT |
HSMS-2852-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2860-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2862-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2862-TR2G
Broadcom Limited
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
EP4CE75F23C9L
Intel
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
XA6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP3C120F780I7N
Intel
EPF10K50SBC356-1
Intel