casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BA 779 E6327
Número da peça de fabricante | BA 779 E6327 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BA 779 E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BA 779 E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Corrente - Max | 50mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.6pF @ 10V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 7 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA 779 E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BA 779 E6327-FT |
HSMP-389V-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389V-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-270P-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-270P-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280K-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280L-BLKG
Broadcom Limited
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation