casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BA779-2-HG3-18
Número da peça de fabricante | BA779-2-HG3-18 |
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Número da peça futura | FT-BA779-2-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BA779-2-HG3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - 1 Pair Series Connection |
Tensão - pico reverso (máximo) | 30V |
Corrente - Max | 50mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz |
Resistência @ Se, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA779-2-HG3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BA779-2-HG3-18-FT |
HSMS-2850-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2850-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2852-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-2852-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-2860-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1
Broadcom Limited
HSMS-2860-TR1G
Broadcom Limited
LFXP3E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-2FFVE1517E
Xilinx Inc.
EP4CE15F23I8LN
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA4H3F35I3N
Intel
EP3SE260F1152C2
Intel
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CB652I8
Intel
EP20K200RC240-3
Intel
EP20K300EQI240-2X
Intel