Número da peça de fabricante | B8S-G |
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Número da peça futura | FT-B8S-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B8S-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBS |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B8S-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B8S-G-FT |
BR1005-BP
Micro Commercial Co
BR101-BP
Micro Commercial Co
BR1010-BP
Micro Commercial Co
BR104-BP
Micro Commercial Co
BR106-BP
Micro Commercial Co
BR108-BP
Micro Commercial Co
GBJL1510-BP
Micro Commercial Co
GBJL20005-BP
Micro Commercial Co
GBJL2001-BP
Micro Commercial Co
GBJL2002-BP
Micro Commercial Co
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV400E-7FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE110F1152I4L
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
10AX090N3F40I2LG
Intel
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP3C25F324A7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel