casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / B412F-2T-YEB
Número da peça de fabricante | B412F-2T-YEB |
---|---|
Número da peça futura | FT-B412F-2T-YEB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B412F-2T-YEB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 12A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 35A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | QC Terminal |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B412F-2T-YEB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B412F-2T-YEB-FT |
GBJ1010-F
Diodes Incorporated
GBJ2508-F
Diodes Incorporated
GBJ1506-F
Diodes Incorporated
GBJ1510-F
Diodes Incorporated
GBJ808-F
Diodes Incorporated
GBJ804-F
Diodes Incorporated
GBJ2010-F
Diodes Incorporated
GBJ2001-F
Diodes Incorporated
GBJ1006-F
Diodes Incorporated
GBJ801
Diodes Incorporated
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel