casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / B412F-2T-YEB
Número da peça de fabricante | B412F-2T-YEB |
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Número da peça futura | FT-B412F-2T-YEB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B412F-2T-YEB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 12A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 35A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | QC Terminal |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B412F-2T-YEB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B412F-2T-YEB-FT |
GBJ1010-F
Diodes Incorporated
GBJ2508-F
Diodes Incorporated
GBJ1506-F
Diodes Incorporated
GBJ1510-F
Diodes Incorporated
GBJ808-F
Diodes Incorporated
GBJ804-F
Diodes Incorporated
GBJ2010-F
Diodes Incorporated
GBJ2001-F
Diodes Incorporated
GBJ1006-F
Diodes Incorporated
GBJ801
Diodes Incorporated
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel