casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / B250C800G-E4/51
Número da peça de fabricante | B250C800G-E4/51 |
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Número da peça futura | FT-B250C800G-E4/51 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B250C800G-E4/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 400V |
Atual - Média Retificada (Io) | 900mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 900mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Circular, WOG |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | WOG |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B250C800G-E4/51 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B250C800G-E4/51-FT |
BU25085S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU25085S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU12085S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU12085S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU10105S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU10105S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU1010A5S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU1010A5S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU10085S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BU2010-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel