casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C8V2-HE3-18
Número da peça de fabricante | AZ23C8V2-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C8V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C8V2-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 6V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C8V2-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C8V2-HE3-18-FT |
AZ23C33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4BG225C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C3
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K1F40E1SG
Intel