casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C18-HE3-08

            | Número da peça de fabricante | AZ23C18-HE3-08 | 
|---|---|
| Número da peça futura | FT-AZ23C18-HE3-08 | 
| SPQ / MOQ | Contate-Nos | 
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others | 
| Series | Automotive, AEC-Q101 | 
| AZ23C18-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque | 
| Status da Peça | Active | 
| Configuração | 1 Pair Common Anode | 
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 18V | 
| Tolerância | ±5% | 
| Potência - Max | 300mW | 
| Impedância (Max) (Zzt) | 50 Ohms | 
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 14V | 
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - | 
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C | 
| Tipo de montagem | Surface Mount | 
| Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 | 
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN | 
| AZ23C18-HE3-08 Peso | Contate-Nos | 
| Número da peça de substituição | AZ23C18-HE3-08-FT | 

AZ23B47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B47-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

M2GL010T-VF400
Microsemi Corporation

A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation

EP2C35U484C7
Intel

EP3CLS70U484C8
Intel

EP3SL340H1152I4LN
Intel

XA6SLX25T-3CSG324Q
Xilinx Inc.

A42MX16-FPQG100
Microsemi Corporation

LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation

5CEFA2U19C6N
Intel

10AX115H2F34E2SG
Intel