casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C18-HE3-08

| Número da peça de fabricante | AZ23C18-HE3-08 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-AZ23C18-HE3-08 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| AZ23C18-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Configuração | 1 Pair Common Anode |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
| Tolerância | ±5% |
| Potência - Max | 300mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 50 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 14V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AZ23C18-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | AZ23C18-HE3-08-FT |

AZ23B47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B47-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation

XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.

XC3S1000-5FG320C
Xilinx Inc.

XC4003E-4VQ100C
Xilinx Inc.

AGLN250V2-VQG100I
Microsemi Corporation

EP3SE50F484C3N
Intel

XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.

XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.

LFXP15E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K60EQC208-2
Intel