casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C16-HE3-18

| Número da peça de fabricante | AZ23C16-HE3-18 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-AZ23C16-HE3-18 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| AZ23C16-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Configuração | 1 Pair Common Anode |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
| Tolerância | ±5% |
| Potência - Max | 300mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 12V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AZ23C16-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | AZ23C16-HE3-18-FT |

AZ23B47-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B47-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B47-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B47-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B47-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B4V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

LCMXO640C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation

A42MX36-2PQG208I
Microsemi Corporation

LFE2M70SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation

XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.

XC7A200T-2FBG484C
Xilinx Inc.

AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation

A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation

LFE3-35EA-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U2F45E1SG
Intel

EP20K400CB652I8ES
Intel