casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C10-HE3-18
Número da peça de fabricante | AZ23C10-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C10-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C10-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C10-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C10-HE3-18-FT |
AZ23B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1000-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP3SE260H780I4L
Intel
5SGXEB6R3F43I3N
Intel
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LFEC33E-3FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25F780C7N
Intel