casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C10-G3-18
Número da peça de fabricante | AZ23C10-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C10-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AZ23C10-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C10-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C10-G3-18-FT |
AZ23B39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-VQ80C
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
EP4CE10F17C9L
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5SGXEA7K2F40C1N
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
5SGXMA7H3F35C4N
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation