casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B4V7-HE3-18
Número da peça de fabricante | AZ23B4V7-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23B4V7-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B4V7-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 78 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B4V7-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B4V7-HE3-18-FT |
AZ23B20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
EP4CE55U19I7N
Intel
5SGSMD5K2F40I3LN
Intel
5SGXMA4H1F35C1N
Intel
XC5VSX95T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2LG
Intel