casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B4V7-HE3-18
Número da peça de fabricante | AZ23B4V7-HE3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-AZ23B4V7-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B4V7-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 78 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B4V7-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B4V7-HE3-18-FT |
AZ23B20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B22-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
10CL080YF484I7G
Intel
EPF10K100EFI256-2
Intel
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7V585T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
10AX115H2F34I2SGE2
Intel
EP2AGZ350FF35C4N
Intel