casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B3V9-HE3-08
Número da peça de fabricante | AZ23B3V9-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-AZ23B3V9-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B3V9-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 95 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B3V9-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B3V9-HE3-08-FT |
AZ23B13-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B15-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6016TI144-2
Intel
LCMXO2-640ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQ240
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEABK3H40I3L
Intel
10AX090H2F34E2LG
Intel
5AGXFA7H4F35I5N
Intel
5AGXMB3G6F35C6N
Intel