casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRLR3705Z
Número da peça de fabricante | AUIRLR3705Z |
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Número da peça futura | FT-AUIRLR3705Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
AUIRLR3705Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 130W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRLR3705Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AUIRLR3705Z-FT |
FQD8P10TM
ON Semiconductor
FQD9N25TM-F080
ON Semiconductor
HUF75329D3ST
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HUF76609D3ST
ON Semiconductor
RFD16N05LSM9A
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2SJ377(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ610(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ687-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK2231(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2266(TE24R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel