casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRFP2907Z
Número da peça de fabricante | AUIRFP2907Z |
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Número da peça futura | FT-AUIRFP2907Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
AUIRFP2907Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 75V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7500pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 310W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AC |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFP2907Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AUIRFP2907Z-FT |
IPD100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD090N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N04S410ATMA1
Infineon Technologies
IPD50N08S413ATMA1
Infineon Technologies
IPD50P04P413ATMA1
Infineon Technologies
IPD5N25S3430ATMA1
Infineon Technologies
IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel