casa / produtos / Sensores, Transdutores / Sensores magnéticos - interruptores (estado sólido / ATS605LSGTN-S-T
Número da peça de fabricante | ATS605LSGTN-S-T |
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Número da peça futura | FT-ATS605LSGTN-S-T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
ATS605LSGTN-S-T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Função | Special Purpose |
Tecnologia | Hall Effect |
Polarização | - |
Faixa de detecção | - |
Condição de teste | - |
Tensão - fonte | 4V ~ 24V |
Corrente - Fornecimento (máx.) | 13mA |
Corrente - Saída (máx) | 25mA |
Tipo de saída | Open Drain |
Características | Temperature Compensated |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TA) |
Pacote / caso | 4-SSIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-SIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ATS605LSGTN-S-T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ATS605LSGTN-S-T-FT |
AH182-PL-B
Diodes Incorporated
AH183-PL-B
Diodes Incorporated
AH337-PL-B
Diodes Incorporated
AH3391Q-P-B
Diodes Incorporated
AH373-PG-B
Diodes Incorporated
AH373-PL-B
Diodes Incorporated
AH375-PL-B
Diodes Incorporated
ATS137-PG-B-A
Diodes Incorporated
ATS137-PG-B-B
Diodes Incorporated
ATS137-PL-B-A
Diodes Incorporated
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
5SGSED6N2F45I2N
Intel
EP2SGX90EF1152C5
Intel
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation