casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS7C316096C-10BINTR
Número da peça de fabricante | AS7C316096C-10BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS7C316096C-10BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS7C316096C-10BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Mb (2M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 10ns |
Tempo de acesso | 10ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-LFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C316096C-10BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS7C316096C-10BINTR-FT |
AT45DB321D-SU-2.5
Microchip Technology
AT93C56AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AS4C2M32D1-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
MT41J128M8JP-107:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E IT:G
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel