casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C8008-55BINTR
Número da peça de fabricante | AS6C8008-55BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS6C8008-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C8008-55BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 8Mb (1M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-LFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8008-55BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C8008-55BINTR-FT |
AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SI
Microchip Technology
AT45DB041B-SI-2.5
Microchip Technology
AT45DB041B-SU
Microchip Technology
AT45DB161D-SU
Microchip Technology
AT45DB321D-SU-2.5
Microchip Technology
AT93C56AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AS4C2M32D1-5TCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C2M32D1-5TIN
Alliance Memory, Inc.
MT41J128M8JP-107:G
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel