casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C6416-55BIN
Número da peça de fabricante | AS6C6416-55BIN |
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Número da peça futura | FT-AS6C6416-55BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C6416-55BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 64Mb (4M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-LFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C6416-55BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C6416-55BIN-FT |
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SI-2.7
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AT25DF161-SH-B
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AT25HP256W-10SC-2.7
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AT25HP256W-10SI
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AT25HP256W-10SI-1.8
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AT25HP256W-10SI-2.7
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AT26DF081A-MU
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LCMXO2280E-3TN144C
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5SGXEA7K3F40C2L
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10M08SAU169I7G
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XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
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LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
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