casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C4008-55TIN
Número da peça de fabricante | AS6C4008-55TIN |
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Número da peça futura | FT-AS6C4008-55TIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C4008-55TIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-TSOP I |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C4008-55TIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C4008-55TIN-FT |
S25FL512SAGBHVA13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SAGBHVC10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SAGBHVC13
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S25FL512SDPBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHI313
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHIC10
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHV210
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FL512SDPBHVC10
Cypress Semiconductor Corp