casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C4008-55BIN
Número da peça de fabricante | AS6C4008-55BIN |
---|---|
Número da peça futura | FT-AS6C4008-55BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C4008-55BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 36-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 36-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C4008-55BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C4008-55BIN-FT |
7142SA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel