casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C2016-55BIN
Número da peça de fabricante | AS6C2016-55BIN |
---|---|
Número da peça futura | FT-AS6C2016-55BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C2016-55BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 2Mb (128K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2016-55BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C2016-55BIN-FT |
AT45DB011B-SC
Microchip Technology
AT45DB011B-SI
Microchip Technology
AT45DB011B-SU
Microchip Technology
AT45DB021B-SC
Microchip Technology
AT45DB021B-SI
Microchip Technology
AT45DB021B-SU
Microchip Technology
AT45DB021D-SH-B
Microchip Technology
AT45DB021D-SH-T
Microchip Technology
AT45DB041B-SC
Microchip Technology
AT45DB041B-SC-2.5
Microchip Technology
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel