casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C2008-55TIN
Número da peça de fabricante | AS6C2008-55TIN |
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Número da peça futura | FT-AS6C2008-55TIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C2008-55TIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 2Mb (256K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-TSOP I |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55TIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C2008-55TIN-FT |
S25FS512SAGBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel