casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C2008-55TINTR
Número da peça de fabricante | AS6C2008-55TINTR |
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Número da peça futura | FT-AS6C2008-55TINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C2008-55TINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 2Mb (256K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-TSOP I |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55TINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C2008-55TINTR-FT |
S25FS512SAGBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SAGBHV213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHA213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHB213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHI213
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM210
Cypress Semiconductor Corp
S25FS512SDSBHM213
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSAGBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
S70FL01GSDPBHIC13
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel