casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C2008-55BIN
Número da peça de fabricante | AS6C2008-55BIN |
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Número da peça futura | FT-AS6C2008-55BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C2008-55BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 2Mb (256K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 36-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 36-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C2008-55BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C2008-55BIN-FT |
7142SA100J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V321L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel