casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C1616-55BIN
Número da peça de fabricante | AS6C1616-55BIN |
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Número da peça futura | FT-AS6C1616-55BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C1616-55BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Mb (1M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-LFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1616-55BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C1616-55BIN-FT |
AT26DF161A-SU
Microchip Technology
AT26DF321-SU
Microchip Technology
AT45D011-SC
Microchip Technology
AT45D011-SI
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AT45DB011-SC
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AT45DB011-SI
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AT45DB011B-SC
Microchip Technology
AT45DB011B-SI
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AT45DB011B-SU
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AT45DB021B-SC
Microchip Technology
LFE2-12SE-6T144I
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XC2VP40-6FGG676C
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XCV1600E-6FG900I
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XC3S700A-4FGG484I
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A42MX09-VQ100M
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5SGXMA7K3F40C2
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5SGSMD4E2H29C2L
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LFE2-35E-6FN672I
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LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation