casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C1608-55BINTR
Número da peça de fabricante | AS6C1608-55BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS6C1608-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C1608-55BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 16Mb (2M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-LFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1608-55BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C1608-55BINTR-FT |
AT26DF161-SU
Microchip Technology
AT26DF161A-SU
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AT26DF321-SU
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AT45D011-SC
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AT45D011-SI
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AT45DB011-SC
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AT45DB011-SI
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XC3S200A-5FG320C
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M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
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XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
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5AGXBB3D4F35C5N
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