casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C1016-55BINTR
Número da peça de fabricante | AS6C1016-55BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS6C1016-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C1016-55BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 1Mb (64K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1016-55BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C1016-55BINTR-FT |
AT26DF081A-MU
Microchip Technology
AT26DF081A-SU
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AT26DF161-SU
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AT45D011-SC
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AT45D011-SI
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AT45DB011-SI
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AT45DB011B-SC
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LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
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XC2V1000-4BGG575C
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XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel