casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS6C1008-55BINTR
Número da peça de fabricante | AS6C1008-55BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS6C1008-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS6C1008-55BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Tamanho da memória | 1Mb (128K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 36-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 36-TFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C1008-55BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS6C1008-55BINTR-FT |
7142SA100J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA100J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7142SA55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel