casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C64M8D2-25BINTR
Número da peça de fabricante | AS4C64M8D2-25BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS4C64M8D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C64M8D2-25BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 400ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D2-25BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C64M8D2-25BINTR-FT |
W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
Winbond Electronics
W631GG8KB12I TR
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W631GG8KB15I
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W631GG8KB15I TR
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W631GU8KB-12
Winbond Electronics
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
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LCMXO2280C-4T100C
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5SGSED8K3F40I4N
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10CX150YF672E6G
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5SGXEA9N3F45I4N
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LCMXO2-7000HE-5BG332C
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10AX115H3F34E2SG
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EP3SE50F780C4
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