casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C4M32S-6BINTR
Número da peça de fabricante | AS4C4M32S-6BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS4C4M32S-6BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C4M32S-6BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Tamanho da memória | 128Mb (4M x 32) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 2ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-TFBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C4M32S-6BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C4M32S-6BINTR-FT |
MT41K256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel