casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C32M16MD1-5BCN
Número da peça de fabricante | AS4C32M16MD1-5BCN |
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Número da peça futura | FT-AS4C32M16MD1-5BCN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C32M16MD1-5BCN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Tamanho da memória | 512Mb (32M x 16) |
Freqüência do relógio | 200MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 700ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FPBGA (8x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MD1-5BCN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C32M16MD1-5BCN-FT |
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
Winbond Electronics
W631GG8KB12I TR
Winbond Electronics
W631GG8KB15I
Winbond Electronics
W631GG8KB15I TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-12
Winbond Electronics
W631GU8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GU8KB-15
Winbond Electronics
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel