casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C256M8D2-25BINTR
Número da peça de fabricante | AS4C256M8D2-25BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS4C256M8D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C256M8D2-25BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 57.5ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 60-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 60-FBGA (8x10) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D2-25BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C256M8D2-25BINTR-FT |
AS4C256M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M8D3LA-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
W631GG8KB-11
Winbond Electronics
W631GG8KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-12
Winbond Electronics
W631GG8KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB-15
Winbond Electronics
W631GG8KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG8KB12I
Winbond Electronics
W631GG8KB12I TR
Winbond Electronics
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel