casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C256M16D3B-12BIN
Número da peça de fabricante | AS4C256M16D3B-12BIN |
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Número da peça futura | FT-AS4C256M16D3B-12BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C256M16D3B-12BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Tamanho da memória | 4Gb (256M x 16) |
Freqüência do relógio | 800MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 20ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 96-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 96-FBGA (13.5x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3B-12BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C256M16D3B-12BIN-FT |
AT49F002N-12PC
Microchip Technology
AT49F002N-12PI
Microchip Technology
AT49F002N-55PC
Microchip Technology
AT49F002N-55PI
Microchip Technology
AT49F002N-70PC
Microchip Technology
AT49F002N-70PI
Microchip Technology
AT49F002N-90PC
Microchip Technology
AT49F002N-90PI
Microchip Technology
AT49F002NT-12PC
Microchip Technology
AT49F002NT-12PI
Microchip Technology
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
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XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
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AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
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EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel